赵巍胜 教授

费尔北京研究院经理

北京航空航天大学、电子信息工程学院

颜世申 教授

2015-11-20 16:00

知新楼C座1111报告厅

随着半导体领域的发展遇到难以逾越的功耗瓶颈，大规模数字集成电路延续了超过30年的摩尔定律失效。自旋电子使用电子的自旋属性设计新型器件，被广泛认为是解决其功耗瓶颈的关键技术之一，能够带来新的产业革命。当今所有半导体领域国际大公司包括英特尔、高通及三星等都在全力研发自旋电子存储芯片（Spin-Transfer-Torque Magnetic Random Access Memory: STT-MRAM），进行专利积累从而继续垄断数据存储及计算芯片，在未来的10年内部分或全部代替Static RAM及Dynamic RAM。虽然传统的磁存储器（MRAM）已经被大量使用于高可靠性领域，产生了巨大经济价值，但是STT-MRAM产业化的步伐一直被推后，因为其面临着从材料、器件制备、电路设计及系统级整合等方方面面的挑战。这个报告将针对当前广泛关注的基于界面垂直磁各向异性的STT-MRAM，从材料到系统，介绍其面临的挑战与机遇。

赵巍胜为北京航空航天大学电子信息工程学院教授、博导、IEEE高级会员。长期从事自旋电子学、新型信息器件、非易失存储器等领域的交叉研究并开展了多项原创性工作，2006年发明自旋寄存器，2012年创建首个自旋电子器件开源模型库。2014年与自旋电子创始人、诺贝尔奖得主费尔教授共同创立费尔北京研究院并担任经理。回国前担任法国国家科学院研究员，领导基础电子研究所自旋电子集成团队，主持及参与了多项欧盟框架、法国纳米重大专项、法国科研署和意法半导体课题，正在主持华为重大导航、北京市重大产业化等项目。至今已在Nature Communications等期刊及国际会议发表论文150多篇，其中SCI一区论文超过30篇，总索引超过1700次，国际会议邀请报告40余次；在自旋电子领域申请专利30余项。2015年起担任IEEE Transactions on Nanotechnology副主编。