报告人：

赵国平  教授

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邀请人：

颜世申 教授

报告时间：

2017年12月20日 上午 10:10

报告地点：

知新楼C座1111报告厅

报告内容：

    磁性斯格明子是一种新的磁畴壁类型，与传统磁畴壁相比，磁性斯格明子更稳定，尺寸更小，驱动电流更低。与普通赛道内存相比，这种以斯格明子为基础的赛道内存能突破普通赛道内存的密度极限，极大地提高存储密度，并且工作耗能更少，极有可能成为下一代磁性存储的主导。

我们通过微磁学计算发现，斯格明子在赛道中运动时，邻近斯格明子由于其拓扑保护特性存在相互挤压的可能，并且需要极大的电流从传统边界抹除斯格明子。 我们首次提出调控比特间距以防止斯格明子相互挤压造成的信息失真，并设计赛道尾部刻槽抹除用过的斯格明子比特。斯格明子在金属赛道运动过程中会受到马格努斯力 (Magnus force)，引起斯格明子的横向漂移，最终可能会使它在受限结构中与边界作用而湮灭,导致信号的丢失。我们提出了一个新型的赛道设计方案，通过在赛道两侧添加高磁晶各向异性材料，利用磁晶各向异性的差异所产生的势垒来抑制横向漂移。通过选取合适的参数， 优化设计方案， 我们发现，这种新型的设计方案不仅可以抑制斯格明子的横向漂移， 避免信号的丢失， 同时还能提高斯格明子的运动速度， 达到快速存储的目的。

赵国平简介：

1990年毕业于中国科学技术大学，2003年获新加坡国立大学物理学博士学位，四川师范大学特聘教授，四川省高校"凝聚态物理"和四川师范大学物理学科研创新团队负责人，民进四川省委常委, 四川省人大代表。 主要从事凝聚态磁性物理和磁性材料理论研究，提出了关于纳米永磁体磁滞回线的混合模型以及纳米复合磁体的"自钉扎"和"成核钉扎二重性"等新的矫顽力机制，获得同行的重点引用、应用和好评。中国科学院大学兼职博士生导师，中科院宁波材料所客座研究员。